日前，“融合創新 突破邊界”青禾晶元天津新型鍵合集成襯底量產示范線通線活動在濱海高新區成功舉辦。在通線活動完成后，一場以“半導體材料與器件融合技術”為主題的論壇同步啟動，會上與會專家各抒己見，共同探討剖析了半導體材料與器件融合技術的發展現狀和重要性，從多個維度研討了中國半導體行業市場變化和未來方向。
據了解，青禾晶元此次自主研發推出先進的半導體材料鍵合集成技術已成功實現產業化，進入量產示范階段，使我國半導體產業實現了從“技術引進”到“自主研產”，再到“規模量產”的階段突破，助力中國半導體技術向上發展。
中國科學院院士、微電子學與固體電子學家郝躍院士指出，我國半導體材料產業已取得長足進步，個別技術領域甚至具備了與國際同行并行的趨勢。但總體而言，我國半導體材料產業大而不強，企業更多作為追隨者同質化競爭，急需加強原始創新。面對我國當前及更長時期發展的迫切要求，加大關鍵核心技術的攻關是重中之重。青禾晶元秉承“融合創新，突破邊界”的企業精神，自主研發推出先進的半導體材料鍵合集成技術，使我國在半導體復合襯底材料領域實現了階段性突破。該技術在生產環節的落地應用，將大大增加寬禁帶半導體領域的優質產品產能，帶動中國整個半導體產業及周邊產業發展。
在上海韋爾半導體股份有限公司 CTO紀剛看來，以SiC/GaN 為代表的第三代半導體已經成為功率器件的發展方向，是高效節能的新能源產業的基礎，但也面臨著襯底供應緊張，成本高居不下的情況，嚴重制約著器件產品規模化量產，特別是國產化的進程。青禾晶元創新式的襯底鍵合剝離技術為市場提供了低成本、高性能的襯底制備能力，為我們開發國產器件提供了信心，也為中國功率半導體提供了強有力的解決方案，希望與青禾晶元成為長期的戰略合作伙伴。
青禾晶元董事長母鳳文博士表示，先進半導體復合襯底技術是當前最先進的晶圓級異質集成技術之一，可以有效解決當前單一半導體材料性能受限、成本高、良率低等問題。本次新型鍵合集成襯底量產示范線通線，標志著國內先進半導體鍵合集成襯底產品具備了大規模量產的基礎，進一步鞏固了青禾晶元在該領域的引領地位，搶占我國先進鍵合集成襯底產業在全球范圍內戰略制高點。公司將基于領先的技術優勢和成熟的量產能力，進一步擴大產能、降低成本，以應對下游客戶日益增長的產品需求。
據介紹，青禾晶元集團成立于2020年，公司聚焦于新型半導體材料的研發生產制造，2020年至今相繼投資設立了青禾晶元（晉城）半導體材料有限公司和位于濱海高新區的青禾晶元（天津）半導體材料有限公司。
該公司核心團隊由海內外教授級專家和市場戰略等領域技術人才組成。作為領先的異質集成技術與方案的提供商，青禾晶元專注于面向第三代半導體、三維集成、先進封裝、功率模塊封裝等應用領域。青禾晶元集團是國際上少數掌握全套先進半導體襯底鍵合集成技術的半導體公司之一，致力于將國際前沿的半導體材料融合技術產業化，獲得了多家知名產業資本和社會資本的廣泛認可，目前已完成多輪融資，融資規模超6億元人民幣，極具成為獨角獸企業的潛力。
母鳳文博士表示，成立近3年來，青禾晶元以“融合”為精神內核，讓新型材料技術得以推進和發展，讓中國先進半導體材料逐漸不再成為“短板”。面向未來，青禾晶元將繼續推進自主技術研發，協同創新助力行業高質量發展。
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