3月25日，在SEMICON異構集成（先進封裝）國際會議上，天津高新區企業青禾晶元創始人兼董事長母鳳文博士發表了題為《半導體先進鍵合集成技術：創新驅動下的應用突破與產業升級》的主題演講，向全球產業界展示了中國半導體企業在鍵合技術領域的最新突破，并深入闡述了鍵合技術如何成為推動半導體產業跨越式發展的關鍵力量。
作為半導體制造的核心工藝之一，鍵合技術正在推動行業進入"第三波材料技術浪潮"。母鳳文博士在演講中強調，隨著摩爾定律逼近物理極限，通過異質材料融合和三維集成實現性能突破，已成為全球半導體產業的重要發展方向。
技術突破，破解產業難題
在技術分享環節，母鳳文博士詳細介紹了青禾晶元在超高真空室溫鍵合領域的創新成果。這項突破性技術和傳統技術相比有非常明顯的優勢，主要是無反應層、沒有升降溫可以實現高精度、高產出，實現了SiC、GaN等寬禁帶半導體材料的無損集成。為客戶帶來顯著的成本優勢。
在三維集成領域，母鳳文博士重點介紹了青禾晶元全球首創獨立研發的C2W/W2W雙?；旌湘I合設備。該設備完美解決了HBM內存堆疊中的互連瓶頸問題，為3D IC設計提供了更靈活的解決方案。母鳳文博士指出："在HBM4要求的720微米厚度內實現16層DRAM堆疊，必須采用混合鍵合技術替代傳統bump工藝。"
在POI襯底代加工方面，室溫鍵合技術成功實現了LT（鉭酸鋰）與硅、藍寶石等材料的可靠結合，有效避免了熱應力問題。這項創新為5G射頻器件提供了關鍵服務支持，已獲得行業領先客戶的認可。
臨時鍵合技術取得重要進展，無機物方案可耐受1000℃高溫，厚度控制精度達亞微米級。相比傳統有機物方案，該技術更適合存儲器、CIS等器件的超薄晶圓加工需求。
演講最后，母鳳文博士展望了鍵合技術的未來："隨著AI、自動駕駛等新興應用的爆發，對異質集成的需求將呈現指數級增長。青禾晶元將繼續加大研發投入，與全球合作伙伴共同推動半導體產業的技術革新。"
關于青禾晶元
青禾晶元半導體科技（集團）有限責任公司是中國半導體鍵合集成技術的高新技術企業。公司核心業務涵蓋高端鍵合裝備研發制造與精密鍵合工藝代工，技術廣泛應用于先進封裝、半導體器件制造、晶圓級異質材料集成及MEMS傳感器等前沿領域，通過“裝備制造+工藝服務”雙輪驅動，構建全產業鏈解決方案，已成功開發四大自主知識產權產品矩陣：超高真空常溫鍵合系統、混合鍵合設備、熱壓鍵合裝備及配套工藝服務。通過持續技術創新，公司致力于為全球半導體產業鏈提供高精度、工藝穩定、高性價比的鍵合裝備與方案，助力戰略新興產業崛起。
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