1、天津濱海高新技術產業開發區政務服務辦公室按照《中華人民共和國環境影響評價法》《中華人民共和國行政許可法》《中華人民共和國政府信息公開條例》以及相關法規、規章和規定的要求，公示建設項目環境影響評價擬審批信息。
2、公示時限：5個工作日。
3、公示期間，公眾（包括個人、團體等）可以通過郵件或信函（以郵戳為準）方式提出意見。
郵箱：cghbz@tht.gov.cn
信函請寄至天津濱海高新技術產業開發區華苑科技園開華道20號，天津濱海高新區政務服務辦公室收（郵編：300384）。請在信封上注明：TCL環鑫半導體（天津）有限公司6英寸功率半導體芯片擴產項目的意見。
4、聽證權利告知：依據《中華人民共和國行政許可法》，自公示起五日內申請人、利害關系人可提出聽證申請。
5、相關資料由行政許可申請人提供、并以其所提交的形式進行公開。上述資料和信息中如有錯漏，使用上述信息和資料作為依據者自行承擔責任。
項目名稱 | TCL環鑫半導體（天津）有限公司6英寸功率半導體芯片擴產項目 |
建設地點 | 天津濱海高新技術產業開發區華苑科技園（環外）海泰東路12號天津中環半導體股份有限公司（以下簡稱“中環半導體”）廠區內 |
建設單位 | TCL環鑫半導體（天津）有限公司 |
環境影響評價機構 | 天津市博創環保科技有限公司 |
項目概況 | TCL環鑫半導體（天津）有限公司（以下簡稱“環鑫半導體”）位于天津濱海高新技術產業開發區華苑科技園（環外）海泰東路12號天津中環半導體股份有限公司（以下簡稱“中環半導體”）廠區內，是中環半導體的全資子公司。現該公司擬投資26958萬元，在現有廠區B座建筑南側車間內建設6英寸功率半導體芯片擴產項目，建成后可實現年產6英寸SBD、VDMOS、TMBS、FRD功率芯片共計90萬片（該項目新增產能44.8萬片/年）。 該項目改造面積為840平方米，主要建設內容為：（1）對車間一層現有6英寸功率半導體芯片生產線進行改造及擴建，依托現有生產裝置并增加打標機、清洗機、硅片擴散爐、光刻涂膠機、光刻機、顯影機等設備；（2）對鎳銀廢水處理系統進行擴容，改造后處理能力由160m3/d提高至300m3/d，并在鎳銀污水站內新增1套100L/h化學鎳廢液濃縮裝置；（3）新增1套三級堿液噴淋塔、1套二級堿液噴淋塔、1根28m排氣筒P9，并改造現有排氣筒P5（由25m提高至28m）；現有1套一級堿液噴淋塔及排氣筒P8作為備用設施，現有2套一級堿液噴淋塔及2根排氣筒拆除；（4）現有1套“活性炭”吸附裝置拆除，新增1套“活性炭吸附-脫附+催化燃燒裝置”。該項目環保投資411萬元，主要用于廢氣收集及治理、廢水治理、噪聲污染防治、污水站防滲、排污口規范化建設等。 |
主要環境影響及預防或者減輕不良環境影響的對策和措施 | 根據該項目環境影響報告表分析結論： （一）涂膠及涂膠后清洗、負膠顯影、有機去膠、涂膠機膠盤清洗工序產生的有機廢氣經集氣管道收集，送入1套“活性炭吸附-脫附+催化燃燒裝置”處理后，通過現有1根25m高排氣筒P6（DA006）排放。 清洗、濕法刻蝕、去膠清洗、陪片清洗、爐管清洗、干法刻蝕配件清洗、干法刻蝕工序產生的廢氣經集氣管道收集；干法刻蝕挖槽、多晶干刻、鋁硅干法刻蝕工序產生的廢氣由設備自帶水噴淋設施噴淋凈化；化學氣相沉積、離子注入、氮化硅沉積、多晶硅沉積工序產生的廢氣由設備自帶的“燃燒焚燒器”裝置凈化；上述廢氣再送入1套二級堿液噴淋塔凈化后，通過現有1根28m排氣筒P5（DA005）排放。硅化物腐蝕機、金屬化清洗、去應力腐蝕、背面金屬化清洗、金屬濕法刻蝕、金屬片架清洗工序產生的廢氣經集氣管道收集，送入1套“三級堿液噴淋塔裝置”處理后，通過1根新建28m高排氣筒P9（DA009）排放。含鎳廢液濃縮裝置產生的不凝氣經管道送入1套“堿液噴淋塔裝置”處理后，通過現有1根25m高排氣筒P1（DA001）排放。 疊加現有工程排放量后，P1（DA001）、P5（DA005）、P9（DA009）排氣筒氯化氫的排放濃度及排放速率須滿足《大氣污染物綜合排放標準》（GB16297-1996）相應限值要求；氨的排放速率和臭氣濃度須滿足《惡臭污染物排放標準》（DB12/059-2018）相應限值要求。P5（DA005）、P9（DA009）排氣筒氟化物、氯氣、硫酸霧、氮氧化物的排放濃度及排放速率須滿足《大氣污染物綜合排放標準》（GB16297-1996）相應限值要求。P6（DA006）排氣筒非甲烷總烴、TRVOC、二甲苯的排放濃度及排放速率均須滿足《工業企業揮發性有機物排放控制標準》（DB12/524-2020）相應限值要求，酚類的排放濃度及排放速率須滿足《大氣污染物綜合排放標準》（GB16297-1996）相應限值要求，乙酸丁酯的排放速率和臭氣濃度須滿足《惡臭污染物排放標準》（DB12/059-2018）相應限值要求。P1（DA001）排氣筒氯化氫、P6（DA006）排氣筒酚類的排放速率均嚴格50%執行。 （二）鎳銀廢水、化學鎳廢液濃縮裝置冷凝水經鎳銀廢水處理設施處理，含氟廢水、酸堿廢水依托中環半導體廢水處理系統處理,研磨廢水經沉降井沉淀處理，生活污水經隔油池+化糞池沉淀處理；上述廢水處理后與純水制備系統排水、循環冷卻水排水一并進入環鑫半導體廢水總排口（DW002）排入市政污水管網，最終排入咸陽路污水處理廠集中處理。車間廢水排口（DA001）總鎳、總銀須滿足《電子工業污水污染物排放標準》（GB39731-2020）相應限值要求，環鑫半導體廢水總排口（DW002）BOD5須滿足《污水綜合排放標準》（DB12/356-2018）相應限值要求，其余因子須滿足《電子工業水污染物排放標準》（GB39731-2020）相應限值要求。 （三）各類生產設備、空壓機、冷卻塔、風機等為主要噪聲源，經合理布局、選用低噪聲設備、減振隔聲和距離衰減后，廠界晝、夜間噪聲須滿足《工業企業廠界環境噪聲排放標準》（GB12348-2008）3類、4類標準限值要求。 （四）固體廢物分類收集。生活垃圾袋裝收集，交由城市管理部門定期清運；廢光刻膠、廢洗邊劑、膠盤清洗廢液、廢負膠顯影液、有機去膠廢液、廢汞燈、鎳銀污泥、含鎳廢液濃縮污泥、空塑料試劑瓶、空玻璃試劑瓶、廢堿袋、廢活性炭及濾材、沾染廢物、去膠廢硫酸、廢氫氟酸、含鎳硅化物刻蝕廢液、含鎳銀正面金屬刻蝕廢液屬于危險廢物，交由有資質的單位處理；不合格品、廢金屬靶材及廢金屬片、沉降井沉淀物屬于一般固體廢物，交由物資回收部門處理；依托中環半導體廢水處理系統產生的污泥，委托中環股份鑒定處理。確保處置去向合理，避免產生二次污染。 （五）加強對危險物料的管理，制定應急預案，落實各項事故防范、減緩措施，有效避免事故發生。 |
公眾參與情況 | —— |
公示時間 | 2022年6月14日至2022年6月20日 |
2022年6月13日
津公網備案：12019202000211
